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天线效应（Antenna Effect）
天线效应发生在芯片生产的过程中，与晶体管相连的金属导线由于其上面几层金属层还没有淀积上，因此处在一种浮在圆片表面的状态，这些浮着的金属线将会作为天线收集后续工艺中的电荷（比如等离子刻蚀）将这些电荷全都储藏在栅极，当电荷达到一定数量时会击穿栅氧化层，就会造成器件的毁坏。在设计中栅面积与金属线面积必须满足一定比例。这一比例表明在天线效应问题发生之前逻辑门的输入能与多少条金属线相连，换句话说，这意味着晶体管的栅极能够容纳多少电荷。通过插入跨线或者插入二极管的方法，可以有效地避免天线效应[2]。
(5) 接地反弹与衬底耦合（Ground bounce Underlay coupling）
接地反弹简称地弹，指由于电路中较大的电流涌动而在电源与地平面间产生大量噪声的现象。如大量芯片同步切换时，会产生一个较大的瞬态电流从芯片与电源平面流过，芯片封装与电源间的寄生电感、电容和电阻会引发电源噪声，使得零电位平面上产生较大的电压波动（可能高达2v），足以造成其它元器件的错误动作。由于地平面的分割（数字地、模拟地、屏蔽地等），可能引起数字信号走到模拟地区域时，产生地平面回流反弹。
同样电源平面分割，也可能出现同样危害。负载容性的增大、阻性的减小、寄生参数的增大、切换速率增高以及同步切换数目的增加，均可能导致接地反弹增加。
同时，衬底耦合可能使设计面临更大的挑战。在硅片设计中，由于衬底和阱具有有限的电阻率，其上流过电流时会产生一定的压降。而MOSFET管的阈电压（开启）取决于在栅区下面的衬底（或阱）的有效电压，这意味着任何衬底电流不仅能越过MOSFET管的阈电压，而且能越过逻辑门或时钟电路的阈电压，使设计很不可靠。随着水平尺度与垂直尺度的下降，衬底和阱层的电阻增大，情况就变得更坏。
